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全球半导体产业陷材料资源困局2024更新东皇大概能够理解,到了域主这个程度,估计若非域主有大量本源供他
> 厂商新闻《全球半导体产业陷材料资源困局》特朗普继续对日本施压:日本需要开放市场 时间:2025-11-06 07:13
半导体是现代电子设备的“大脑”,从智能手机、数据中心到电动汽车、人工智能,乃至国防军工,几乎所有高附加值、高成长性的赛道,都建立在指甲盖大小、却集成数百亿颗晶体管的芯片之上。然而,当全球目光聚焦于EUV光刻机、3nm制程、GAA(环绕栅极)晶体管等“塔尖”突破时,却鲜有人意识到:真正可能让万亿级半导体产业“窒息”的,并非尖端设备,而是那些看似“不起眼”的原材料——高纯硅、镓、铟、锗、钨、稀有气体、特种化学品……它们就像空气和水,平日无人喝彩,一旦“断供”,再先进的晶圆厂也会在顷刻间沦为“沉默的巨兽”。
随着科技博弈持续升级、地缘冲突此起彼伏、AI算力需求呈指数级爆发,半导体原材料“黑天鹅”成群而至:镓价暴涨,锗刷新14年价格纪录,磷化铟“一片难求”,六氟化钨(WF6)即将涨价,ABF载板关键玻纤布供给短缺……“缺芯”尚未完全缓解,“缺料”又接踵而至。
随着半导体需求激增(麦肯锡预测该产业到2030年将达到万亿美元规模),材料采购已从后台任务转变为国家安全和竞争力的关键部分。当前,全球半导体产业正面临多品类原材料短缺的集体困境,供需失衡、政策调控与技术壁垒交织,不仅推高产业链成本,更重塑着全球半导体供应链的格局。
01核心半导体材料的供需困局:多品类齐陷短缺美国面临“缺镓”困境
近日,美国“大西洋理事会”发布报告指出,在中国宣布对金属镓及相关物项实施出口管制后,美国正面临“缺镓”困境,目前其试图通过“废物制镓”技术,回收美国国内工业体系中已流通的镓以缓解短缺。
镓的砷化物、锑化物、磷化物等化合物具备优异半导体性能,是电子设备、激光器、微波发生器及场致发光器件等固体装置的关键材料。
从产业链来看,镓的供应存在天然瓶颈。其一,镓无天然纯金属矿,需从铝土矿、锌矿冶炼副产品中提取,产能直接依赖上游铝、锌产业规模;其二,全球镓储量分布失衡,据美国地质调查局(USGS)数据,全球金属镓储量约27.93万吨,中国以19万吨(占比约68%)居首,而美国储量仅0.45万吨,不足中国的1/40;其三,中国凭借铝产业规模优势与成熟提取技术,贡献了全球绝大部分镓产量,也是目前唯一具备镓全产业链能力的国家。
中国出口管制已对全球镓市场产生直接影响。欧洲市场镓现货价格已飙升40%以上,不仅导致交货周期延长,还迫使芯片晶圆厂缩减库存、优先保障关键项目生产。由于许可证获批前相关货物无法离境,卖家需等待审批,部分买家已开始动用现有库存。
美国对中国镓的依赖度极高,其几乎所有低纯度镓、大部分高纯度镓均从中国进口。目前美国仅纽约一家工厂具备能力,可将进口原料及半导体废料升级为高纯度镓金属。该能力虽关键,但规模有限,无法保障战争物资供应链免受冲击;在中国实施出口许可证制度后,美国买家除消耗自身少量库存外,暂无其他后备供应渠道。
AI粮草告急,磷化铟短缺冲击产业链
铟是电子产品、太阳能电池、国防军事、航空航天、核工业及现代信息产业等众多领域不可或缺的关键材料。例如,铟是制造新一代铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池、电脑芯片和铟锡氧化物(ITO)的核心材料,极少的量便可极大地改善产品性能。当前,受AI高速运算对核心原材料磷化铟的需求爆发影响,磷化铟已出现严重短缺,下游买家甚至表示“有多少料就收多少,价格不是问题”。目前磷化铟库存已降至低位,部分厂商已进入减停产状态。
英伟达在GTC 2025大会上重磅发布新一代交换机Quantum-X,该产品主打800G与1.6T高速数据传输场景,核心依赖先进硅光技术。而在硅光技术体系中,外置光源激光器是关键组件,磷化铟正是制造高速光芯片的核心材料,进一步加剧了其需求缺口。据全产业链研究分析,数据中心光模块正加速向1.6T/3.2T迭代,其带宽需求是现有800G模块的4倍,磷化铟调制器与接收器成为突破性能瓶颈的关键,直接引发市场抢购潮。
从铟的分布看,全球铟资源整体储量较小,主要集中在中国、秘鲁、美国、加拿大和俄罗斯等国家,其中中国储量最高,而且我国是全球最大的铟生产国。中国自实施铟出口限制后,国际市场报价不断上涨。此外,磷化铟生产高度依赖日本住友、美国AXT等企业的技术专利,国内产能释放滞后。此外,磷化铟衬底扩产周期长达2-3年,而国内头部企业如云南锗业,当前磷化铟晶圆产能仅15万片/年(规格2-4英寸),远低于全球每年200万片的需求规模,缺口显著。
低轨卫星与AI算力驱动,锗价格创14年新高
受中国关键金属出口限制、美国本土矿场封禁的供给端冲击,叠加红外军工、AI算力等领域的需求爆发,金属锗价格在2025年8月创下14年来新高,供需缺口持续扩大。
2023年1月3日,锗锭均价为7950元/千克(约合1100美元/千克)。截至2025年8月25日,鹿特丹现货价格已涨至4999美元/千克,较2023年初涨幅超350%,且2025年年内涨幅达67%。
一方面供给受限:中国锗出口管制导致全球流通量减少25%,美国封矿政策也减少了全球锗的供给。2024年下半年,美国为保障本土关键矿产安全,出台了《稀有金属战略储备法案》,明确暂停蒙大拿州伯克利矿、爱达荷州斯廷斯山矿等四座锗矿的开采许可,这些矿场此前每年贡献全球6%的锗产量,约9吨左右,减少了全球锗的供给。另一方面需求爆发:低轨卫星、AI算力、红外军工等领域对锗的需求增速超预期,而全球锗锭年产量仅150吨左右,供需缺口较大。
六氟化钨涨价70%-90%,冲击芯片制造环节
钨的化合物六氟化钨(WF₆)是芯片制造的“连接剂”,在化学气相沉积(CVD)工艺中,六氟化钨在沉积机腔室内与等离子体、氢气反应生成金属钨,用于覆盖晶圆通道的孔洞与缝隙,是逻辑芯片、DRAM及3D NAND生产的必需材料。
当前,六氟化钨正面临“成本传导型涨价”。上游钨价翻倍:中国占据全球80%以上的钨开采与加工能力,2025年2月实施出口许可证政策后,钨价持续飙升,截至9月初,钨矿石价格较年初上涨95%至28万元/吨,APT(仲钨酸铵)价格上涨90%以上至40万元/吨。下游气体厂商提价:韩国SK Specialty、Foosung等气体生产商已通知三星、SK海力士等芯片厂商,2026年六氟化钨价格将上涨70%-90%;日本厂商更以汇率不利为由,提价幅度达90%。
行业人士指出,六氟化钨价格上涨并非暂时的冲击,而是表明供应链发生了根本性变化。钨资源的战略属性提升,供应链安全优先于成本控制,未来价格或维持高位。
PCB上游材料:AI服务器驱动,高端载板材料缺货持续
全球AI基础设施需求暴增,不仅拉动芯片与服务器需求,更传导至PCB(印制电路板)上游,制造高端载板(如ABF载板,用于先进芯片封装)所需的T-Glass玻璃布、石英布、低膨胀系数(Low CTE)玻纤布供应紧张,成为电子业新的“缺货焦点”。
缺货的原因在于“技术垄断+需求激增”。高端玻璃布、石英布等材料技术门槛高,主要由日韩台企业(如日本日东电工、台湾台玻)垄断,扩产周期长;AI服务器对高端载板的需求同比增幅超50%,而供给端短期难以匹配。
欣兴董事长曾子章指出,目前高阶CCL(铜箔基板)缺料比较具有挑战,大约未来半年是缺料的高峰期,但自26Q3开始,缺口有望快速收敛;同时,随着产品不断创新,材料、工具、设备也会变革,其中载板所需的高阶玻璃布、石英布、LoW CTE等缺货预期还要一年左右。PCB龙头臻鼎集团营运长李定转表示,2026年上游材料对载板出货影响最为关键,同时预估2026年载板增长力度强,2027年将是高峰,高阶载板有望供不应求;而BT载板缺料将影响26Q1 BT载板出货,随着相关材料到位,26Q2 BT载板出货有望恢复放量
02“缺料”背后原因何在?当前全球半导体材料短缺并非单一因素导致,而是政策调控、供应瓶颈与需求爆发三者交织的结果,形成“三重挤压”格局。
政策端,各国将半导体材料纳入“国家安全资产”,通过出口管制、战略储备等政策限制流通,直接压缩全球供给。2024年12月,中国发布公告加强镓、锗等两用物项对美出口管制,2025年2月实施铟出口限制,3月进一步收紧镓管制(延长审批周期、建立全链条追溯系统),直接减少全球核心材料流通量;同时,《矿产资源法》禁止小矿乱采,八部门《有色金属行业稳增长工作方案》强化稀有金属战略定位,从源头控制产能。而美国出台《稀有金属战略储备法案》,暂停国内锗矿开采以储备资源;推动“废物制镓”回收技术,试图摆脱对中国镓的依赖,但回收量短期内难以填补缺口;日本、韩国等也在加强稀有金属储备,全球材料供应链从“全球化分工”转向“区域化自主”,进一步加剧短缺。
供给端,镓、铟、锗等金属材料没有“独立矿”,全部寄生在铝、锌、铜的冶炼流程里;新建1万吨电解铝产能至少需要一年时间,配套镓产线再加12个月,而AI算力需求半年就能翻番。矿山、冶炼、提纯层层叠Buff,任何一级卡壳,整条链就“心跳骤停”。
需求端,AI、5G、新能源汽车、低轨卫星、量子计算等新兴领域的“集体爆发”,对半导体材料的需求从“线性增长”转向“指数级增长”。1.6T/3.2T光模块迭代推动磷化铟需求激增,AI算力中心对锗基红外器件、钨基连接材料的需求同步扩张;全球5G基站建设年消耗大量镓材料;低轨卫星星座(如星链)、雷达系统对锗等材料的需求刚性,进一步加剧民用市场的短缺。
03缺货潮的连锁影响:从成本上涨到全球产业链重构半导体原材料短缺并非孤立事件,而是引发“多米诺骨牌效应”,从上游材料厂商传导至下游芯片、设备及终端产业,甚至影响全球科技竞争格局。
首先是产业链成本飙升,终端产品涨价压力传导。原材料价格上涨直接推高芯片制造成本:六氟化钨涨价70%-90%将直接增加DRAM与3D NAND的生产成本;镓、铟价格上涨导致5G基站、光模块成本上升;PCB高端材料缺货则推高AI服务器价格。目前,三星、SK海力士等芯片厂商已开始接受材料涨价,未来成本大概率将传导至手机、电脑、新能源汽车等终端产品,最终由消费者承担。
其次是下游产业受限,技术迭代节奏放缓。部分材料短缺已直接影响产能释放:磷化铟短缺导致部分光模块厂商减停产,拖累1.6T光模块量产进度,进而影响AI数据中心的扩容速度;高端玻璃布缺货导致ABF载板供应不足,制约先进芯片封装产能,延缓7nm以下芯片的商用进程。短期看,材料短缺可能使全球半导体产业的技术迭代周期延长。
此外,全球供应链重构,区域化自主趋势加强。各国为保障供应链安全,加速推进“资源自主”与“区域化供应”。中国强化稀有金属产业链整合,推动高纯镓、磷化铟等技术突破,同时扩大国内回收体系建设;美国加大对本土锗矿、镓回收技术的投入,联合日本、韩国建立“半导体材料供应链联盟”,试图减少对中国的依赖;欧洲通过《芯片法案》资助本土半导体材料研发,推动锂、镓等资源的循环利用。
这种“去全球化”趋势可能导致全球半导体供应链分裂为“中国主导的材料供应圈”与“欧美主导的技术应用圈”,进一步加剧国际科技博弈。
最后会导致技术路线调整,替代材料与回收技术加速突破。短缺压力也在倒逼产业寻找破局之路。如企业开始探索硅基材料替代磷化铟(如硅光子芯片),但替代技术仍需一定的验证周期;美国推动“废物制镓”回收,中国加速锗、铟从废旧芯片中的提取技术。
全球半导体材料困局的本质,是“有限资源”与“无限科技需求”的矛盾,也是“全球化分工”与“国家安全优先”的冲突。
半导体原材料的“缺货”,并非简单的周期波动,而是资源禀赋、技术壁垒、资本周期、政策博弈、ESG约束多重力量共振下的结构性拐点。它标志着一个时代的终结——过去三十年,芯片产业遵循“摩尔定律”一路狂飙,原材料成本几乎可以忽略不计;未来十年,我们即将步入“后摩尔时代”,每提升1nm性能,都可能需要付出10×的原材料代价。
但危机亦孕育新生。正如石油危机催生了核能、光伏、风电,半导体原材料的“卡脖子”也将倒逼回收技术、替代材料、工艺革新、国际合作与金融工具的百花齐放。对于国家而言,掌控原材料,就是掌控产业安全的“总开关”;对于企业而言,把“采购思维”升级为“生态链思维”,才能在暴涨暴跌中立于不败之地;对于投资者而言,在“资源+技术”双轮驱动的主赛道上,提前布局,方能分享这场“硬科技”长跑的红利。
当“沙子”也能卡住世界经济的喉咙,人类便不得不重新审视:真正宝贵的,或许不是芯片里那数亿个晶体管,而是让晶体管得以诞生的、那些在地壳深处默默沉睡了亿万年的一克克金属。在“不确定”成为常态的未来,谁掌握了这些“微小而关键”的资源,谁就握住了数字文明的“火种”。
一、修复bug,修改自动播放;优化产品用户体验。
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别把心力浪费在内耗上
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